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新机：iPhone14双打孔屏；土豆发布磁吸充电技术；一加直屏新机曝

2025-11-04 12:19

iPhone 14 Pro将使用女子双打穿孔

早先有华盛顿邮报所称，iPhone 14将放弃“刘海”，取而代之的是打穿孔建筑设计。而最另行消息所称，的产品于是以建筑设计一种独特的“打穿孔 + 药丸”形式。

壹周刊Tumblr问到，京东方已经收到了的产品iPhone 14的订单。熟知壹周刊人Jon Prosser在视频中会也问到可以“独立验证”这个右上图的真实性，并且全另行的上图像上图。

显示器从业者分析员Ross Young通过问到，iPhone ProSu-的“女子双打穿孔”建筑设计将在2023年的4款Su-上全部浮现。如果个人信息无误的话，2023年的4款 iPhone 15Su-将告别“刘海”，全部使用iPhone 14 Pro系列的于是以面建筑设计。（比如说：IT之家）

一加直屏另行机将配有天玑另行网络服务

据数码Tumblr @数码有意思站壹周刊，一加于是以在试验一款配有天玑另行网络服务的直屏另行机。

该机使用 4500mAh 电源 + 150W 超级闪差使方案，排期最迟于 realme。从壹周刊中会的天玑另行网络服务来看，这款一加另行机预计将配有天玑 8000 系列晶片组。（比如说：IT之家）

GalaxyGalaxy Book 2 Pro笔记本披露

如今，南亚媒体 91mobiles 披露了Galaxy即将公开发表的 Galaxy Book 2 Pro 系列笔记本。

Galaxy Book 2 Pro 可选 13.3 和 15.6 两个版本，配有 FHD AMOLED 屏，前者轻至 0.87kg，后者轻至 1.11kg。

的设计特别，Galaxy Book 2 Pro 可选 12 代酷睿 i7 和 i5，内存最高可选 32GB LPDDR5，SSD 可选 1TB，15.6 版本还可选Intel的 Arc 独显。（比如说：IT之家）

Redmi K50 系列存储容量公告

苹果 Redmi K50 系列昨天发生电信设备进网许可变更，公告了三款APP的存储容量的设计个人信息。

Redmi K50（22021211RC）存储的设计为：6GB + 128GB；8GB + 128GB；8GB + 256GB。该机配有骁龙 870 晶片组。

Redmi K50 Pro（22041211AC）存储的设计为：8GB + 128GB；8GB + 256GB；12GB + 256GB。该机配有天玑 8100 晶片组。

Redmi K50 Pro+（22011211C）存储的设计为：8GB + 128GB；8GB + 256GB；12GB + 512GB。该机配有天玑 9000 晶片组。（比如说：IT之家）

荣耀Magic4最另行预热贴纸

2 月 28 日北京时间最迟 8 点，荣耀将举行另行品公开发表会，公开发表 Magic4 系列。

今最迟，荣耀公开发表了 Magic4 系列的最另行预热贴纸，展示了这款APP的前方。如上上图所示，Magic4 系列使用了大椭圆屏幕，后壳同样是大椭圆建筑设计，隐约可以看到这款APP占有更大的单反相机的系统。

根据之前的壹周刊，荣耀 Magic4 系列另行品将配有骁龙 8 Gen 1 晶片组，还使用了潜望式变焦镜头。（比如说：IT之家）

苹果公开发表“小感量+磁吸”预研核心技术

苹果特别今日宣布，为大家带来了“小感量 + 磁吸”无线差使电预研核心技术，磁吸无线差使电负载最高可达 50W，损耗降低 50%，充分利用“革命性的无线差使电体验”。

该核心技术包含两款差使电产品——苹果超薄磁吸无线差使（30W）和苹果执意制冷磁吸无线差使（50W），两款产品都没有公告价格和开售个人信息。（比如说：IT之家）